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危墙之下 媒体称中国计划加速芯片产业发展

Date: 2018-05-21 09:08
【来源】:电子时代          【发表日期】:2018-4-23
 
       援引路透4月19日报道称,随着中美贸易摩擦不断升级,中国政府正寻求加速推进国产芯片产业的发展计划。
       中国电信设备制造巨头中兴4月16日遭到美国商务部处罚,未来7年禁止美国公司向中兴通讯销售零部件、商品、软件和技术。
       虽然出口禁令起于中兴违反了美国限制向伊朗出售美国技术的制裁条款,但因美商务部决定公布的时机,恰逢中美贸易紧张局势愈演愈烈之际,被国内舆论广泛解读为美国是在进一步遏制中国技术密集型产业的发展。
       路透报道援引两位直接知情人士称,本周中国高层官员汇集行业协会和监管部门,召开多次会议,研究探讨进一步加速推进本土芯片产业发展的具体措施。国家集成电路产业投资基金据称也在与会部门之列。
       今年3月就有报道称,中国目前正在进行国家集成电路产业投资基金二期的成立工作,二期拟募集1500亿-2000亿元人民币,于今年下半年开始投资运作。这只有着雄厚股东背景的“大基金”是A股半导体板块龙头股背后的共同“大金主”。
       目前半导体产业已经处在“中国制造2025”发展战略的关键位置,拥有非常高的政策优先级,减少对外国科技产品的依赖,扶持具有国际竞争力的本土明星企业。然而随着中兴惨遭美国出口禁令,这一产业发展目标被赋予了全然不同的紧迫意义。
       腾讯科技今日援引《福布斯》网络版日前刊发Atherton Research副总裁兼首席分析师Jean Baptiste Su的文章称,美国的出口禁令有效地阻止了这家中国公司获得美国的所有技术,导致其工厂关闭,销售停止。
       而且,即使中兴有能力重新设计所有产品,寻找美国产元器件的替代品,也需要数年时间。
       集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫,以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018年下半年,随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年,揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。
       DRAMeXchange指出,从三大厂目前布局进度来看,合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工,去年第三季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同,试产时程将会落于今年第三季,量产则暂定在2019年的上半年,时程较预期落后。此外,由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb,尔后面临专利争议的可能性也较高,为了避免此一状况,除了积极累积的专利权外,初期可能将锁定于中国销售。
        反观专注于利基型记忆的晋华集成,在2016年7月宣布于福建省晋江市建12英寸厂,投资金额约53亿美元,以目前进度来看,其利基型内存的试产延后至今年第三季度,量产时程也将落在明年上半年。
        此外,从中国厂商NAND Flash的发展进程来看,2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,官方预期分三阶段,共建立三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于去年9月完成兴建,预定2018年第三季开始移入机台,并于第四季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32层3D-NAND Flash产品,并预计于自家64层技术成熟后,再视情况拟定第二、三期生产计划。
        DRAMeXchange指出,观察中国存储器厂商的研发与产出计划,2019年将是中国存储器产业的生产元年,但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大,短期尚不会撼动全球市场现有格局。
        长期来看,随着中国存储器产品逐步成熟,预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载,在最乐观的预估下,届时两家合计约有每月25万片的投片规模,可能将开始      影响全球DRAM市场的供给。另一方面,长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片,不排除长江存储完成64层产品开发后,可能将进行大规模的投片,进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。